Історія кафедри

Кафедра прикладної математики ДГМА організована у 1992 р. Її очолює к.ф.-м. наук, доцент В. М. Черномаз. Колектив кафедри складається з 14 кваліфікованих співробітників, які навчають студентів на всіх факультетах і відділеннях ДДМА. Програма навчання включає вивчення сучасних програмних продуктів для ПЕОМ. Навчальні курси охоплюють також такі розділи математики як чисельні методи, елементи теорії вірогідності і математичної статистики, кореляційно-регресійний аналіз, дискретну математику.

За час існування кафедри її співробітниками підготовлено більше 90 методичних вказівок, видано 15 навчальних посібників з грифом МОН. Викладачі кафедри неодноразово нагороджувалися дипломами за краще методичне забезпечення дисциплін серед загальноосвітніх і економіко-гуманітарних кафедр.

Склад кафедри

Черномаз Володимир Миколайович

завідувач кафедрою

кандидат фіз-мат наук, доцент

Гончаров Олександр Андрійович

кандидат фіз-мат наук

доцент кафедри ПМ

Костіков Олександр Анатолійович

кандидат фіз-мат наук

доцент кафедри ПМ

Абрамов Арнольд Аркадійович

кандидат фіз-мат наук

старший викладач кафедри ПМ

Загребельний Сергій Леонідович

кандидат педагогічних наук

старший викладач кафедри ПМ

Васильєва Людмила Володимирівна

кандидат технічних наук

старший викладач кафедри ПМ

Малигіна Світлана Валеріївна

кандидат технічних наук

старший викладач кафедри ПМ

 

Брус Маргарита Володимирівна

старший викладач кафедри ПМ

 

 

Гетьман Ірина Анатоліївна

старший викладач кафедри ПМ

 

 

Медведєва Ольга Анатоліївна

старший викладач кафедри ПМ

 

 

Мірінський Вадим Едуардович

асистент кафедри ПМ

 

 

Кльованик Олена Анатоліївна

асистент кафедри ПМ

 

 

Решетняк Тетяна Вікторівна

асистент кафедри ПМ

 

 

Методичне забезпечення

Наукова робота на кафедрі

Абрамов Арнольд Аркадійович

Белєвцов Леонід Васильович

На кафедрі прикладної математики ведеться активна наукова робота.

Під керівництвом д. ф.-м. н. Л.В. Белєвцова проводяться дослідження магнітних і транспортних властивостей надпровідників II-роду. Свого часу в роботах Л.В. Белєвцова теоретично були передбачені нові потенційні бар'єри для вихорів Абрікосова в полікристалічних ВТНП (вихорів, за які академіку А.А. Абрікосову було присуджено Нобелівська премія з фізиці у 2003 р.). У 2003 р. Л.В. Белєвцову були видано три патенти на винаходи пристроїв запам'ятовування інформації на вихорах Абрікосова. Починаючи з 2003 р. Л.В. Белєвцов регулярно запрошується видавцями популярного американського видання Who’s Who in Scine and Engineering. А бібліографічний центр (IBM) у м. Кембрідж (Англія) вніс його до числа 2000 видатних учених 21-го століття. В 2005 р. з м. Кембрідж прийшло нове визнання «Провідний вчений миру 2005 року».

Наукова група співробітників, яку очолює Л.В. Белєвцов, співробітничає з вченими Харківського фізико-технічного інституту низьких температур НАН України і Донецького фізико-технічного інституту НАН України в області магнітних і транспортних властивостей гранулярних надпровідників другого роду.

Активну участь у цих перспективних дослідженнях бере й доцент кафедри к.ф.-м. н. О.А. Костіков. Його роботи були опубліковані в провідних фізичних журналах миру і України: Europhysics Letters (Франція), Journal Low Temperature Physics (Америка), Журнал Експериментальної і Теоретичної Фізики (м. Москва), Physics Letters А (Голландія), Фізика Низьких Температур (м. Харків) та ін. За наслідками проведених досліджень були зроблені доклади на представницькому науковому міжнародному симпозіумі з фізиці вихорів, який проводився під егідою НАТО в м. Ялті.

Гончаров Олександр Андрійович

Костіков Олександр Анатолійович

Цікаві наукові розробки веде старший викладач кафедри к.ф.-м. н. А.А. Абрамов. Область його наукових інтересів – це фізика напівпровідникових наноструктур. За час своєї роботи А.А. Абрамов брав участь у виконанні проектів Фундації Фундаментальних досліджень України, а також таких міжнародних наукових проектів, як NATO HTECH LG 960931 і CNS 970627 “Semiconductor Sources for TeraHertz Generation”, ІНТАС-97-751 “New heterostructure lasers based on intraband transitions injected carriers in quantum wells”. На запрошення зарубіжних вчених у 2004 – 2005 рр. він працював в Department Electrical Engineering and Graduate Institute Electronic Engineering, National Taiwan University (Taipei, Taiwan, Republic China). У 2007 р. А.А. Абрамова запрошували виступити з докладом “Strained semiconductor materials for THz sources” в Інститут Вальтера Шоттки (Мюнхен). У 2008 р. А.А. Абрамов працював у Institute for Electronics (Bundeswehr University, Munich) в рамках проекту, фінансованого Deutsche Forschungsgemeinshaft. Має більше 50 публікацій у спеціалізованих виданнях (у тому числі більше 20 – в науковій періодиці).

Під керівництвом доцента кафедри к. ф.-м. н. О.А. Гончарова проводяться наукові дослідження за темою: «Фізичні основи формування структури, складу і властивостей плівок бориду і боридонітридів перехідних металів». За підсумками роботи ним було опубліковано близько 40 наукових робіт (з них більше 20 – в міжнародних виданнях), отримано три патенти на винаходи. Практичне застосування його робіт знайшло своє втілення в двох актах упровадження на підприємствах м. Донецька НВП «Гормашінструмент» і на Дружківськом метізному заводі.

О.А. Гончаров керує роботою аспірантів. Під його керівництвом захищена одна кандидатська дисертація, ведеться робота ще над однією кандидатською дисертацією. Сам він готується до захисту докторської дисертації.